IS45S16160G-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | วงจรรวม (IC)

IS45S16160G-6TLA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IS45S16160G-6TLA1-ND
ผู้ผลิต	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IS45S16160G-6TLA1
คำอธิบาย	IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	SDRAM หน่วยความจำ ic 256Mbit ขนาน 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	วงจรรวม (IC) หน่วยความจำ หน่วยความจำ
Mfr	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
DigiKey ตั้งโปรแกรมได้	ไม่ได้รับการยืนยัน
ประเภทหน่วยความจำ	สารระเหย
รูปแบบหน่วยความจำ	DRAM
เทคโนโลยี	SDRAM
ขนาดหน่วยความจำ	256Mbit
องค์การหน่วยความจำ	16M x 16
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	ขนาน
ความถี่สัญญาณนาฬิกา	166 MHz
รอบเวลาเขียน - คำ, หน้า	-
เวลาในการเข้าถึง	5.4 ns
แรงดันไฟฟ้า - ที่จ่าย	3V ~ 3.6V
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	54-TSOP (0.400", ความกว้าง 10.16mm)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	54-TSOP II
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IS45S16160