Name: IXTA02N250HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA02N250HV-ND
Price: 535.71 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 2500 V 200mA (Tc) 83W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTA02N250HV
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXTA02N250HV-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXTA02N250HV
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	32 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 2500 V 200mA (Tc) 83W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 250µA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 116 pF @ 25 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 83W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 2500 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 200mA (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263AA
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 450Ohm @ 50mA, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXTA02