N-Channel, โหมดการลดการนำ 1000 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263HV
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTA1R6N100D2HV

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
238-IXTA1R6N100D2HV-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IXTA1R6N100D2HV
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
32 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-Channel, โหมดการลดการนำ 1000 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263HV
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1000 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
0V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 100µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
645 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
100W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-263HV
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

ในสต็อก: 2,089
สต็อกจากโรงงาน: 1,300
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿208.21000฿208.21
50฿110.67200฿5,533.60
100฿101.26730฿10,126.73
500฿84.79772฿42,398.86
1,000฿83.03961฿83,039.61
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน