N-Channel, โหมดการลดการนำ 1000 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263HV
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTA1R6N100D2HV

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
238-IXTA1R6N100D2HV-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IXTA1R6N100D2HV
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
28 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-Channel, โหมดการลดการนำ 1000 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263HV
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า
หมวดหมู่
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 100µA
Mfr
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
27 nC @ 5 V
ชุด
Vgs (สูงสุด)
±20V
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
645 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
100W (Tc)
ประเภท FET
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1000 V
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-263HV
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
บรรจุภัณฑ์ / เคส
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
0V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
ในสต็อก: 2,084
สต็อกจากโรงงาน: 1,300
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿247.32000฿247.32
50฿132.84400฿6,642.20
100฿121.80000฿12,180.00
500฿102.46412฿51,232.06
1,000฿96.25934฿96,259.34
2,000฿95.49474฿190,989.48
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน