Name: IXTY1R6N100D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND
Price: 75.70289 THB
Availability: OutOfStock

N-Channel, โหมดการลดการนำ 1000 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTY1R6N100D2-TRL
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXTY1R6N100D2-TRL
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-Channel, โหมดการลดการนำ 1000 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 100µA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 27 nC @ 5 V
ชุด Depletion	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR)	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 645 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 100W (Tc)
ประเภท FET N-Channel, โหมดการลดการนำ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1000 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-252AA
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 1.6A (Tj)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 0V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXTY1
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V