Name: IXTY1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-ND
Price: 177.82 THB
Availability: OutOfStock

IXTY1R6N100D2 หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿0.88926

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTY1R6N100D2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXTY1R6N100D2-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXTY1R6N100D2
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-Channel, โหมดการลดการนำ 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IXTY1R6N100D2 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 27 nC @ 5 V
Mfr IXYS	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด Depletion	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 645 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 100W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภท FET N-Channel, โหมดการลดการนำ	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-252AA
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1000 V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXTY1
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (1)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
AOD2N100	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD2N100-ND	฿0.88926	Similar

ในสต็อก: 0

ตรวจสอบเวลาส่งสินค้า

ขอให้แจ้งสถานะสต็อค

จำนวน

ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB

ท่อ