MT47R128M8CF-25:H Micron Technology Inc. | หน่วยความจำ

MT47R128M8CF-25:H
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MT47R128M8CF-25:H-ND
ผู้ผลิต	Micron Technology Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MT47R128M8CF-25:H
คำอธิบาย	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	SDRAM - DDR2 หน่วยความจำ ic 1Gbit ขนาน 400 MHz 400 ps 60-FBGA (8x10)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	MT47R128M8CF-25:H รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	วงจรรวม (IC) หน่วยความจำ หน่วยความจำ
Mfr	Micron Technology Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ DigiKey
DigiKey ตั้งโปรแกรมได้	ไม่ได้รับการยืนยัน
ประเภทหน่วยความจำ	สารระเหย
รูปแบบหน่วยความจำ	DRAM
เทคโนโลยี	SDRAM - DDR2
ขนาดหน่วยความจำ	1Gbit
องค์การหน่วยความจำ	128M x 8
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	ขนาน
ความถี่สัญญาณนาฬิกา	400 MHz
รอบเวลาเขียน - คำ, หน้า	15ns
เวลาในการเข้าถึง	400 ps
แรงดันไฟฟ้า - ที่จ่าย	1.55V ~ 1.9V
อุณหภูมิในการทำงาน	0°C ~ 85°C (TC)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	60-TFBGA
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	60-FBGA (8x10)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MT47R128M8

MT47R128M8CF-25:H