MSQ230AGE-2512 MoSys, Inc. | วงจรรวม (IC)

MSQ230AGE-2512
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2331-MSQ230AGE-2512-ND
ผู้ผลิต	MoSys, Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MSQ230AGE-2512
คำอธิบาย	IC SRAM 1GBIT PAR 2512FCBGA
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	SRAM, RLDRAM หน่วยความจำ ic 1Gbit ขนาน 2.7 ns 2512-FCBGA (27x27)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	วงจรรวม (IC) หน่วยความจำ หน่วยความจำ
Mfr	MoSys, Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
DigiKey ตั้งโปรแกรมได้	ไม่ได้รับการยืนยัน
ประเภทหน่วยความจำ	สารระเหย
รูปแบบหน่วยความจำ	SRAM
เทคโนโลยี	SRAM, RLDRAM
ขนาดหน่วยความจำ	1Gbit
องค์การหน่วยความจำ	144M x 8
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	ขนาน
รอบเวลาเขียน - คำ, หน้า	-
เวลาในการเข้าถึง	2.7 ns
แรงดันไฟฟ้า - ที่จ่าย	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	2512-BGA, FCBGA
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	2512-FCBGA (27x27)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MSQ230