Name: MJD45H11T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD45H11T4GOSTR-ND
Price: 36.23 THB
Availability: OutOfStock

MJD45H11T4G หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Direct

MJD45H11T4

STMicroelectronics

มีอยู่ในสต็อค: 2,380

ราคาต่อหน่วย : ฿2.19000

เอกสารข้อมูล

Similar

MJD45H11-13

Diodes Incorporated

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿1.07000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W ติดบนพื้นผิว DPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

MJD45H11T4G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MJD45H11T4GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) MJD45H11T4GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) MJD45H11T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MJD45H11T4G
คำอธิบาย	TRANS PNP 80V 8A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้วเดี่ยว
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	8 A
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	80 V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	1V @ 400mA, 8A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	1µA
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	40 @ 4A, 1V
พลังงาน - สูงสุด	1.75 W
ความถี่ - การเปลี่ยน	90MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DPAK
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MJD45