Name: NSS1C300ET4G
Brand: onsemi
SKU: NSS1C300ET4GOSTR-ND
Price: 48.5 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) PNP 100 V 3 A 100MHz 2.1 W ติดบนพื้นผิว DPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NSS1C300ET4G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NSS1C300ET4GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NSS1C300ET4GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NSS1C300ET4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSS1C300ET4G
คำอธิบาย	TRANS PNP 100V 3A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	41 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) PNP 100 V 3 A 100MHz 2.1 W ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NSS1C300ET4G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้วเดี่ยว	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 2V
Mfr onsemi	พลังงาน - สูงสุด 2.1 W
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความถี่ - การเปลี่ยน 100MHz
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -65°C ~ 150°C (TJ)
ประเภททรานซิสเตอร์ PNP	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 3 A	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DPAK
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 400mV @ 300mA, 3A	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NSS1C300
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 100nA (ICBO)

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (4)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
NSV1C300ET4G	onsemi	2,670	NSV1C300ET4GOSCT-ND	฿41.06000	เทียบเท่าพาราเมตริก
MJD32C-TP	MCC (Micro Commercial Components)	2,500	MJD32C-TPMSCT-ND	฿43.65000	Similar
MJD32CT4	STMicroelectronics	3,477	497-2491-1-ND	฿34.27000	Similar
MJD32CT4-A	STMicroelectronics	6,197	497-10313-1-ND	฿27.16000	Similar