Name: NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG028N170M1TR-ND
Price: 1307.21 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 1700 V 71A (Tc) 428W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTBG028N170M1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5556-NTBG028N170M1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 5556-NTBG028N170M1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5556-NTBG028N170M1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTBG028N170M1
คำอธิบาย	SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	99 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1700 V 71A (Tc) 428W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.3V @ 20mA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 222 nC @ 20 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) +25V, -15V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4160 pF @ 800 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 428W (Tc)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1700 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 71A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ D2PAK-7
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 20V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 40mOhm @ 60A, 20V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTBG028