Name: NTF2955T1G
Brand: onsemi
SKU: NTF2955T1GOSTR-ND
Price: 59.16 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 60 V 1.7A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-223 (TO-261)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTF2955T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NTF2955T1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NTF2955T1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NTF2955T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTF2955T1G
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 60 V 1.7A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-223 (TO-261)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NTF2955T1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 1mA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 492 pF @ 25 V
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 1W (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 155°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-223 (TO-261)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-261-4, TO-261AA
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 185mOhm @ 2.4A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTF2955