Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 260.9 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 8-TDFNW (8.3x8.4)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTMTSC1D6N10MCTXG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTMTSC1D6N10MCTXG
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	45 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 8-TDFNW (8.3x8.4)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NTMTSC1D6N10MCTXG รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 106 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 7630 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 5.1W (Ta), 291W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-TDFNW (8.3x8.4)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 35A (Ta), 267A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 90A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTMTSC1
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 650µA