Name: NTTFS3D7N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS3D7N06HLTWGTR-ND
Price: 94.73 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 16A (Ta), 103A (Tc) 2.2W (Ta), 83W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (3.3x3.3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTTFS3D7N06HLTWG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTTFS3D7N06HLTWGTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTTFS3D7N06HLTWGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTTFS3D7N06HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTTFS3D7N06HLTWG
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	43 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 16A (Ta), 103A (Tc) 2.2W (Ta), 83W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (3.3x3.3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	16A (Ta), 103A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 120µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	32.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2383 pF @ 30 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.2W (Ta), 83W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-PQFN (3.3x3.3)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerWDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NTTFS3