Name: NVMFS2D3P04M8LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR-ND
Price: 150.01 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVMFS2D3P04M8LT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVMFS2D3P04M8LT1G
คำอธิบาย	MV8 P INITIAL PROGRAM
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	44 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NVMFS2D3P04M8LT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 157 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 5985 pF @ 20 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.8W (Ta), 205W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 31A (Ta), 222A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.4V @ 2.7mA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NVMFS2