Name: NVMFS5C645NLWFAFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C645NLWFAFT1GTR-ND
Price: 127.27 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 22A (Ta) 79W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVMFS5C645NLWFAFT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NVMFS5C645NLWFAFT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NVMFS5C645NLWFAFT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NVMFS5C645NLWFAFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVMFS5C645NLWFAFT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	50 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 22A (Ta) 79W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2200 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 79W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 22A (Ta)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 250µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NVMFS5