Name: NVMFS6H800NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H800NLT1GTR-ND
Price: 197.21 THB
Availability: OutOfStock

NVMFS6H800NLT1G หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

เทียบเท่าพาราเมตริก

NTMFS6H800NLT1G

onsemi

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿134.17000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3.9W (Ta), 214W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVMFS6H800NLT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NVMFS6H800NLT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NVMFS6H800NLT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NVMFS6H800NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVMFS6H800NLT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	30 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3.9W (Ta), 214W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NVMFS6H800NLT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	30A (Ta), 224A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 330µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	112 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	6900 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.9W (Ta), 214W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NVMFS6