Name: NVMFS6H800NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H800NLWFT1GTR-ND
Price: 198.56 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3.9W (Ta), 214W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVMFS6H800NLWFT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NVMFS6H800NLWFT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NVMFS6H800NLWFT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NVMFS6H800NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVMFS6H800NLWFT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	33 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3.9W (Ta), 214W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 112 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 6900 pF @ 40 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.9W (Ta), 214W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 30A (Ta), 224A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 50A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 330µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NVMFS6