R1LP0108ESF-5SI#B1 Renesas Electronics Corporation | หน่วยความจำ

R1LP0108ESF-5SI#B1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	R1LP0108ESF-5SI#B1-ND
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	R1LP0108ESF-5SI#B1
คำอธิบาย	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	SRAM หน่วยความจำ ic 1Mbit ขนาน 55 ns 32-TSOP I
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	R1LP0108ESF-5SI#B1 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	วงจรรวม (IC) หน่วยความจำ หน่วยความจำ
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
DigiKey ตั้งโปรแกรมได้	ไม่ได้รับการยืนยัน
ประเภทหน่วยความจำ	สารระเหย
รูปแบบหน่วยความจำ	SRAM
เทคโนโลยี	SRAM
ขนาดหน่วยความจำ	1Mbit
องค์การหน่วยความจำ	128K x 8
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	ขนาน
รอบเวลาเขียน - คำ, หน้า	55ns
เวลาในการเข้าถึง	55 ns
แรงดันไฟฟ้า - ที่จ่าย	4.5V ~ 5.5V
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	32-TFSOP (0.724", ความกว้าง 18.40mm)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	32-TSOP I
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	R1LP0108

R1LP0108ESF-5SI#B1