IRLR014TR Vishay Siliconix | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IRLR014TR
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRLR014TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRLR014TR
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	7.7A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4V, 5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	200mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	8.4 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	400 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRLR014