SIHB22N60E-E3 มีจัดจำหน่ายแต่โดยปกติแล้วจะไม่มีสต็อก
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 365
ราคาต่อหน่วย : ฿6.64000
เอกสารข้อมูล

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 9,892
ราคาต่อหน่วย : ฿7.78000
เอกสารข้อมูล

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 1,795
ราคาต่อหน่วย : ฿9.63000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 1,095
ราคาต่อหน่วย : ฿5.82000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 184
ราคาต่อหน่วย : ฿5.61000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 7,928
ราคาต่อหน่วย : ฿6.89000
เอกสารข้อมูล

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 4,207
ราคาต่อหน่วย : ฿9.66000
เอกสารข้อมูล

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿4.39067

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿4.95233

Similar


Rohm Semiconductor
มีอยู่ในสต็อค: 3,286
ราคาต่อหน่วย : ฿6.54000
เอกสารข้อมูล

Similar


Rohm Semiconductor
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿7.24000
เอกสารข้อมูล

Similar


STMicroelectronics
มีอยู่ในสต็อค: 515
ราคาต่อหน่วย : ฿5.49000
เอกสารข้อมูล

Similar


STMicroelectronics
มีอยู่ในสต็อค: 437
ราคาต่อหน่วย : ฿5.18000
เอกสารข้อมูล

Similar


STMicroelectronics
มีอยู่ในสต็อค: 1,786
ราคาต่อหน่วย : ฿11.49000
เอกสารข้อมูล
N-ช่องสัญญาณ 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
N-ช่องสัญญาณ 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB22N60E-E3

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
SIHB22N60E-E3-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
SIHB22N60E-E3
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
-
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1920 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
227W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-263 (D2PAK)
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

พร้อมสำหรับการสั่งซื้อ
ตรวจสอบเวลาส่งสินค้า
สินค้านี้ไม่มีอยู่ในสต็อกที่ DigiKey ระยะเวลาการจัดส่งที่แสดงจะใช้กับการจัดส่งจากผู้ผลิตไปยัง DigiKey เมื่อได้รับสินค้า DigiKey จะจัดส่งเพื่อตอบสนองคำสั่งซื้อที่เปิดอยู่
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1,000฿59.81050฿59,810.50
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน