เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก
เทียบเท่าพาราเมตริก

SIHFR220-GE3 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | 742-SIHFR220-GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | SIHFR220-GE3 |
คำอธิบาย | MOSFET N-CHANNEL 200V |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 15 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 200 V 4.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | - | |
บรรจุภัณฑ์ | เทปและม้วน (TR) | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ทำงาน | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 200 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 10V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.9A, 10V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 260 pF @ 25 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | TO-252AA | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 3,000 | ฿8.37088 | ฿25,112.64 |
| 6,000 | ฿8.15271 | ฿48,916.26 |
| 9,000 | ฿8.04349 | ฿72,391.41 |
| 15,000 | ฿7.92249 | ฿118,837.35 |
| 21,000 | ฿7.85174 | ฿164,886.54 |
| 30,000 | ฿7.78367 | ฿233,510.10 |



