Name: SUM110P06-08L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110P06-08L-E3TR-ND
Price: 185.86 THB
Availability: OutOfStock

SUM110P06-08L-E3 หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

IXTA120P065T

IXYS

มีอยู่ในสต็อค: 2,096

ราคาต่อหน่วย : ฿310.20000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

P-ช่องสัญญาณ 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SUM110P06-08L-E3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SUM110P06-08L-E3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SUM110P06-08L-E3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SUM110P06-08L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SUM110P06-08L-E3
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 60V 110A TO263
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	63 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SUM110P06-08L-E3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 240 nC @ 10 V
ชุด TrenchFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 9200 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.75W (Ta), 272W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263 (D2PAK)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 110A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SUM110
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V