VideoLibrary

1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

When compared to silicon IGBTs with similar on-state losses and voltage-blocking capabilities, the LSIC1MO120E0120 and LSIC1MO120E0160 SiC MOSFETs all but eliminate switching losses, offering higher efficiency and reduced converter system weight.

7/24/2019 9:24:00 PM

Part List

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3LLSIC1MO170E1000SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L0 - Immediate$111.75ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3LSIC1MO120E0120SICFET N-CH 1200V 27A TO247-30 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3LSIC1MO120E0080SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3359 - Immediate$648.27ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 20A TO247-3LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 20A TO247-326 - Immediate
1350 - Factory Stock		$349.65ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 1200V 28A TO220ACLSIC2SD120A10DIODE SIL CARB 1200V 28A TO220AC0 - Immediate$131.50ดูรายละเอียด
DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO220ACLSIC2SD120A05DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO220AC0 - Immediate$67.24ดูรายละเอียด
DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO220ACLSIC2SD120A08DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO220AC0 - Immediate$111.08ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 1200V 44A TO220ACLSIC2SD120A15DIODE SIL CARB 1200V 44A TO220AC0 - Immediate$209.20ดูรายละเอียด
DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO220ACLSIC2SD120A20DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO220AC0 - Immediate$277.44ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220LLSIC2SD065A06ADIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220L758 - Immediate$155.30ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2LLSIC2SD065A08ADIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2L1021 - Immediate$182.39ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2LLSIC2SD065A10ADIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2L1006 - Immediate$241.61ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 38A TO220-2LLSIC2SD065A16ADIODE SIL CARB 650V 38A TO220-2L842 - Immediate$297.99ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2LLSIC2SD065A20ADIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2L863 - Immediate$381.78ดูรายละเอียด

Related Videos

Taking SiC Mainstream: The Story of Littelfuse Power Semiconductors
Taking SiC Mainstream: The Story of Littelfuse Power Semiconductors

Publish Date: 2019-07-24

Littelfuse LSIC1MO120E0080 Mosfet | DigiKey Daily
Littelfuse LSIC1MO120E0080 Mosfet | DigiKey Daily

Publish Date: 2018-02-08

Related Product Highlight

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes - LSIC2SD Series Littelfuse's LSIC2SD SiC Schottky diodes have negligible reverse recovery current, high surge capability, and a maximum operating junction temperature of 175°C.
Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFETs - LSIC1MO Series Littelfuse's LSIC1MO series MOSFET's device structure enables lower per-cycle switching losses and improved light load efficiency than similarly rated IGBTs.
SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit IXYS, a Littelfuse Technology, has developed a gate driver evaluation board for silicon carbide MOSFETs and diodes.

Related Articles and Blogs

Optimize SMPS Efficiency with a Multi-Technology Approach Littelfuse SiC MOSFETs, MOS-gated thyristors, and rectifiers enable efficient, reliable SMPS designs for EV chargers, solar inverters, and motor drives.
สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างกำลังพลิกโฉมอุตสาหกรรมการขนส่ง อุตสาหกรรมการขนส่งทั้งหมดกำลังอยู่ระหว่างการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ด้วยโซลูชั่นสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและรถยนต์ไฮบริด และการขนส่งมวลชนที่สะอาดขึ้น
สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างในการใช้งานด้านการบินและอวกาศและดาวเทียม สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างมีข้อดีหลายประการในการแปลงพลังงาน เช่น ความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานที่เพิ่มขึ้น และลดขนาดและน้ำหนักของระบบ