BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

BSC046N02KSGAUMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSC046N02KSGAUMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSC046N02KSGAUMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSC046N02KSGAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC046N02KSGAUMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC046N02KSGAUMA1 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	19A (Ta), 80A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.2V @ 110µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	27.6 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4100 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.8W (Ta), 48W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TDSON-8-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSC046