BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 20 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSC046N02KSGAUMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSC046N02KSGAUMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSC046N02KSGAUMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSC046N02KSGAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC046N02KSGAUMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC046N02KSGAUMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1.2V @ 110µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 27.6 nC @ 4.5 V
ชุด OptiMOS™	Vgs (สูงสุด) ±12V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4100 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.8W (Ta), 48W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TDSON-8-1
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 19A (Ta), 80A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 2.5V, 4.5V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BSC046
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 50A, 4.5V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (2)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
BSC026NE2LS5ATMA1	Infineon Technologies	16,375	BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND	฿55.28000	MFR ที่แนะนำ
CSD16340Q3	Texas Instruments	4,235	296-25646-1-ND	฿57.87000	Similar