Name: BSC076N04NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC076N04NDATMA1TR-ND
Price: 65.31 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 40V 20A (Tc) 2.3W (Ta), 65W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-4

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSC076N04NDATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-BSC076N04NDATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-BSC076N04NDATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-BSC076N04NDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC076N04NDATMA1
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 40V 20A (Tc) 2.3W (Ta), 65W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-4
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC076N04NDATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ T2
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	-
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 30µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	38nC @ 10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2950pF @ 20V
พลังงาน - สูงสุด	2.3W (Ta), 65W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TDSON-8-4
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSC076