Name: BSZ146N10LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ146N10LS5ATMA1TR-ND
Price: 77.59 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 9A (Ta), 44A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-FL

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSZ146N10LS5ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-BSZ146N10LS5ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-BSZ146N10LS5ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-BSZ146N10LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSZ146N10LS5ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 9A (Ta), 44A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-FL
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSZ146N10LS5ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.3V @ 23µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 15 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™ 5	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1300 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.1W (Ta), 52W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TSDSON-8-FL
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 9A (Ta), 44A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BSZ146
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 20A, 10V