Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 199.48 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3-2

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB021N10NM5LF2ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB021N10NM5LF2ATMA1
คำอธิบาย	IPB021N10NM5LF2ATMA1
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3-2
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB021N10NM5LF2ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 15V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.9V @ 280µA
ชุด OptiMOS™ 5	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 206 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 17000 pF @ 50 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 30A (Ta), 176A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-3-2
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V, 15V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB