Name: IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB048N15N5LFATMA1TR-ND
Price: 238.92 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 150 V 120A (Tc) 313W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB048N15N5LFATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPB048N15N5LFATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPB048N15N5LFATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPB048N15N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB048N15N5LFATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 150 V 120A (Tc) 313W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB048N15N5LFATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.9V @ 255µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 84 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™ 5	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 380 pF @ 75 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 313W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 150 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-3
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 120A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPB048
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 100A, 10V