Name: NVS4001NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVS4001NT1GOSTR-ND
Price: 14.23 THB
Availability: OutOfStock

NVS4001NT1G หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

NX3008NBKW,115

Nexperia USA Inc.

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿7.11000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 30 V 270mA (Ta) 330mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SC-70-3 (SOT323)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVS4001NT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NVS4001NT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NVS4001NT1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NVS4001NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVS4001NT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	42 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 270mA (Ta) 330mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SC-70-3 (SOT323)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NVS4001NT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	270mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 4V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 100µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	1.3 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	33 pF @ 5 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	330mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SC-70-3 (SOT323)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-70, SOT-323
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NVS4001