VideoLibrary

Switching evaluation of fast GaN devices

Switching evaluation of fast GaN devices from Nexperia.

4/14/2025 7:28:33 PM

Part List

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$360.68ดูรายละเอียด
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$438.17ดูรายละเอียด
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$349.34ดูรายละเอียด
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immediate$445.10ดูรายละเอียด
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$445.10ดูรายละเอียด

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Nexperia cascode GaN FETs
Nexperia cascode GaN FETs

Publish Date: 2025-04-07

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างเพิ่มประสิทธิภาพในศูนย์ข้อมูล เนื่องจากศูนย์ข้อมูลต้องใช้พลังงานจำนวนมาก จึงจำเป็นต้องมีโซลูชั่นด้านพลังงานที่สามารถลดการสูญเสียพลังงาน เพิ่มประสิทธิภาพ และเพิ่มการควบคุมความร้อน
สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างกำลังพลิกโฉมอุตสาหกรรมการขนส่ง อุตสาหกรรมการขนส่งทั้งหมดกำลังอยู่ระหว่างการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ด้วยโซลูชั่นสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและรถยนต์ไฮบริด และการขนส่งมวลชนที่สะอาดขึ้น
เหตุผลและวิธีการใช้ทรานซิสเตอร์ GaN Field Effect สำหรับการใช้งานโหมดพาวเวอร์ ที่แรงดันไฟฟ้าสูงกว่าอย่างมีประสิทธิภาพ ปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานและความหนาแน่นของพลังงานในระบบไฟฟ้าโหมดสวิตช์แรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นโดยการทำความเข้าใจหลักการและการประยุกต์ใช้ GaN FET ที่ถูกต้อง