onsemi

650 V EliteSiC - Silicon Carbide Diodes

onsemi diodes provide superior switching performance and high reliability

Image of onsemi 650 V Silicon Carbide Diodesonsemi silicon carbide EliteSiC Schottky diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance make silicon carbide the next generation of power semiconductors. System benefits include high efficiency, higher operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Features
  • Easy to parallel
  • High surge current capacitance
  • Max junction temperature: +175°C
  • No reverse recovery/no forward recovery
  • Higher switching frequency
  • Low forward voltage (VF)
  • Positive temperature coefficient
  • AEC-Q101 Qualified and PPAP capable
Applications
  • Automotive HEV-EV DC/DC converters
  • Automotive HEV-EV onboard chargers
  • Industrial power
  • PFC
  • Solar
  • UPS
  • Welding

650 V Silicon Carbide Diodes

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2FFSH5065B-F085DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-280 - Immediate
1350 - Factory Stock		$553.15ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472FFSH1065B-F085DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO24721565 - Immediate
9900 - Factory Stock		$283.08ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3FFSP2065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-344 - Immediate
800 - Factory Stock		$246.03ดูรายละเอียด
DIODE SIC 650V 20A TO220F2FSFFSPF2065ADIODE SIC 650V 20A TO220F2FS0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAKFFSB1065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK1515 - Immediate
4800 - Factory Stock		$134.88ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3FFSH1265BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3576 - Immediate
2250 - Factory Stock		$228.80ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2FFSH1665ADIODE SIL CARB 650V 23A TO247-20 - Immediate
8925 - Marketplace		$142.35ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3FFSH4065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3140 - Immediate$432.58ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFNFFSM1065BDIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN4424 - Immediate$128.38ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2FFSH3065BDIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2119 - Immediate
900 - Factory Stock		$229.45ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252FFSD0665B-F085DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO2521938 - Immediate
132500 - Factory Stock		$99.45ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252FFSD1065BDIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2523958 - Immediate
7500 - Factory Stock		$111.48ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252FFSD0865B-F085DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO2522046 - Immediate
5000 - Factory Stock		$121.23ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252FFSD0665BDIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252438 - Immediate$89.70ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252FFSD0865BDIODE SIL CARB 650V 11.6A TO2524744 - Immediate
22500 - Factory Stock		$109.53ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFNFFSM0665BDIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN2938 - Immediate
378000 - Factory Stock		$108.88ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFNFFSM0865BDIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN2955 - Immediate
159000 - Factory Stock		$114.73ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2LFFSP1065ADIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L1426 - Immediate
58400 - Factory Stock		$149.18ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 23.4A TO252FFSD2065BDIODE SIL CARB 650V 23.4A TO2521584 - Immediate$148.53ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263FFSB2065BDIODE SIL CARB 650V 22.8A TO2632021 - Immediate$162.50ดูรายละเอียด

Other Wide Bandgap Solutions

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3NTHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-30 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472374 - Immediate$570.05ดูรายละเอียด
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA2633 - Immediate
5000 - Factory Stock		$209.95ดูรายละเอียด
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOICNCD57001DWR2GDGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC1231 - Immediate$197.93ดูรายละเอียด
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN961 - Immediate
114000 - Factory Stock		$185.90ดูรายละเอียด
Published: 2019-11-06

Related Videos

Industrial Automation: Intelligent Technologies for Fully Autonomous Manufacturing
Industrial Automation: Intelligent Technologies for Fully Autonomous Manufacturing

Publish Date: 2024-07-15

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Publish Date: 2024-05-21

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Publish Date: 2024-04-03

Related Product Highlight

NTHL SiC MOSFETs onsemi's NTHL SiC MOSFETs feature low ON resistance and a compact chip size.
Wide Bandgap Technologies onsemi offers a robust range of highly efficient & intelligent power components providing a full WBG ecosystem, including a variety of EliteSiC devices to choose from. Find the best fit for your application at DigiKey today!
UHD Power Conversion ON Semi offers a complete portfolio of power products covering a variety of power conversion applications, from MOSFETs, IGBTs, power modules and more. ON Semi is equipped to support engineers in assisting in their creative design innovations.

Related Articles and Blogs

สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างกำลังพลิกโฉมอุตสาหกรรมการขนส่ง อุตสาหกรรมการขนส่งทั้งหมดกำลังอยู่ระหว่างการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ด้วยโซลูชั่นสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและรถยนต์ไฮบริด และการขนส่งมวลชนที่สะอาดขึ้น
สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างในการใช้งานด้านการบินและอวกาศและดาวเทียม สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างมีข้อดีหลายประการในการแปลงพลังงาน เช่น ความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานที่เพิ่มขึ้น และลดขนาดและน้ำหนักของระบบ
วิธีทำให้โครงสร้างพื้นฐานด้านพลังงานมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้มากขึ้นพร้อมทั้งลดต้นทุน วิธีการใช้ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) เพื่อทำให้ระบบโครงสร้างพื้นฐานด้านพลังงานมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้มากขึ้นด้วยการปล่อยก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์ที่น้อยลงและต้นทุนที่ต่ำลง