VideoLibrary

Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Together with our end-to-end #Silicon Carbide (SiC) manufacturing capabilities, onsemi EliteSiC products offer superior performance and exacting quality standards of products.

4/3/2024 5:54:03 PM

1200V

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3NTHL080N120SC1ASICFET N-CH 1200V 31A TO247-3834 - Immediate
123300 - Factory Stock		$420.23ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAKNVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK977 - Immediate$395.53ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-31777 - Immediate
9900 - Factory Stock		$712.08ดูรายละเอียด

1700V

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERNTBG028N170M1SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER598 - Immediate
1600 - Factory Stock		$1,220.05ดูรายละเอียด
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERNTH4L028N170M1SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER748 - Immediate
9900 - Factory Stock		$1,202.83ดูรายละเอียด

650V

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1599 - Immediate
5850 - Factory Stock		$914.23ดูรายละเอียด
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTBG015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL2967 - Immediate
8000 - Factory Stock		$914.88ดูรายละเอียด
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1NTHL015N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1490 - Immediate$919.10ดูรายละเอียด

750V

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
SIC MOS TO247-4L 750VNVH4L018N075SC1SIC MOS TO247-4L 750V438 - Immediate
1800 - Factory Stock		$1,259.05ดูรายละเอียด

900V

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L020N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL203 - Immediate
6750 - Factory Stock		$917.15ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NTHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-31555 - Immediate
2700 - Factory Stock		$921.38ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNVBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK508 - Immediate$1,145.63ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNTBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK769 - Immediate$925.60ดูรายละเอียด
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - Immediate
450 - Factory Stock		$448.50ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NVHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-3168 - Immediate$965.25ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3NVHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-3163 - Immediate
59400 - Factory Stock		$593.13ดูรายละเอียด
-NVH4L060N090SC1-1333 - Immediate$521.63ดูรายละเอียด
SIC MOSFET 900V TO247-4LNVH4L020N090SC1SIC MOSFET 900V TO247-4L449 - Immediate
900 - Factory Stock		$978.90ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3NTHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-32173 - Immediate
33300 - Factory Stock		$435.83ดูรายละเอียด

Related Videos

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Publish Date: 2024-05-21

Exploring Industrial Drives and Pumps
Exploring Industrial Drives and Pumps

Publish Date: 2024-02-15

onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC
onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC

Publish Date: 2023-04-10

Related Product Highlight

onsemi Energy Storage Solutions onsemi Energy Storage Solutions capture energy produced at one time for use later. It involves converting energy from forms that are difficult to store to more convenient or economically storable forms.
NVHL N-Channel EliteSiC MOSFET onsemi's NVHL N-channel EliteSiC MOSFET provides lightning-fast transitions with superior reliability in a miniature TO-247-3 package.
NVBG EliteSiC MOSFETs onsemi’s NVBG EliteSiC MOSFETs offer high-speed switching and low capacitance in a small package size.

Related Articles and Blogs

สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างกำลังพลิกโฉมอุตสาหกรรมการขนส่ง อุตสาหกรรมการขนส่งทั้งหมดกำลังอยู่ระหว่างการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ด้วยโซลูชั่นสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและรถยนต์ไฮบริด และการขนส่งมวลชนที่สะอาดขึ้น
สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างในการใช้งานด้านการบินและอวกาศและดาวเทียม สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างมีข้อดีหลายประการในการแปลงพลังงาน เช่น ความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานที่เพิ่มขึ้น และลดขนาดและน้ำหนักของระบบ
วิธีทำให้โครงสร้างพื้นฐานด้านพลังงานมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้มากขึ้นพร้อมทั้งลดต้นทุน วิธีการใช้ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) เพื่อทำให้ระบบโครงสร้างพื้นฐานด้านพลังงานมีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้มากขึ้นด้วยการปล่อยก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์ที่น้อยลงและต้นทุนที่ต่ำลง

Related Product Training Modules

SiC Gate Drivers onsemi's NCP51561 isolated dual-channel gate drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.