Name: BSC010NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 76.95 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSC010NE2LSIATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSC010NE2LSIATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSC010NE2LSIATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSC010NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC010NE2LSIATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC010NE2LSIATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.05mOhm @ 30A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 250µA
ชุด OptiMOS™	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 59 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4200 pF @ 12 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 25 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TDSON-8-7
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 38A (Ta), 100A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BSC010

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (2)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
CSD16401Q5	Texas Instruments	3,499	296-24525-1-ND	฿115.74000	Similar
PJQ5424_R2_00001	Panjit International Inc.	2,165	3757-PJQ5424_R2_00001CT-ND	฿37.50000	Similar