Name: IRF7862TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7862TRPBFTR-ND
Price: 48.43 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF7862TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRF7862TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRF7862TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRF7862TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF7862TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	26 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRF7862TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	21A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.35V @ 100µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	45 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4090 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SO
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF7862