SCT2080KEC Rohm Semiconductor | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SCT2080KEC
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SCT2080KEC-ND
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SCT2080KEC
คำอธิบาย	SICFET N-CH 1200V 40A TO247
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) ทรูโฮล TO-247
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SCT2080KEC รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	40A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	117mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 4.4mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	106 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+22V, -6V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2080 pF @ 800 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	262W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SCT2080