Name: IQE013N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 63.05 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IQE013N04LM6CGATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IQE013N04LM6CGATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IQE013N04LM6CGATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IQE013N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IQE013N04LM6CGATMA1
คำอธิบาย	40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	14 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TTFN-9-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IQE013N04LM6CGATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 51µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3900 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TTFN-9-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IQE013