SCT2120AFC Rohm Semiconductor | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SCT2120AFC
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SCT2120AFC-ND
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SCT2120AFC
คำอธิบาย	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) ทรูโฮล TO-220AB
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	29A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	156mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 3.3mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	61 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+22V, -6V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1200 pF @ 500 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	165W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220AB
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SCT2120