VideoLibrary

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Optimize your designs with SiC power devices and gate drivers from ROHM, the pioneer and industry leader in SiC technology.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE61 - Immediate$10,763.30ดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediate$18,210.20ดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE16 - Immediate$22,968.85ดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - Immediate$17,500.23ดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - Immediate$12,130.54ดูรายละเอียด
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - Immediate$11,541.81ดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULEBSM600D12P3G001MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE0 - ImmediateSee Page for Pricingดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULEBSM400D12P3G002MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE2 - Immediate$40,250.85ดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE6 - Immediate$44,338.33ดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE8 - Immediate$31,812.72ดูรายละเอียด
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2E002MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE4 - Immediate$21,871.25ดูรายละเอียด
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4036KW7TL1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST234 - Immediate$590.99ดูรายละเอียด
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4026DW7TL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR438 - Immediate$583.88ดูรายละเอียด
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7HRTL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR0 - Immediate$266.72ดูรายละเอียด
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4018KW7TL1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST684 - Immediate$1,040.70ดูรายละเอียด
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST2669 - Immediate$479.78ดูรายละเอียด
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7TL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR335 - Immediate$399.60ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2680 - Immediate$112.99ดูรายละเอียด
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEHRC111200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST289 - Immediate$697.36ดูรายละเอียด
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3525 - Immediate$459.73ดูรายละเอียด

Related Videos

Tamura Total Solutions
Tamura Total Solutions

Publish Date: 2024-08-20

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Publish Date: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
4th Generation SiC MOSFETs ROHM's 4th generation SiC MOSFETs feature low switching loss and support for 15 V gate-source voltage that contributes to device power savings.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.

Related Articles and Blogs

วิธีลดการสูญเสีย ปรับปรุงประสิทธิภาพ และเพิ่มช่วงอุณหภูมิในการใช้งานที่มีกำลังสูง นักออกแบบสามารถใช้มอสเฟต SiC รุ่นที่ 4 เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพได้อย่างมาก ลดต้นทุน และลดขนาดของวงจรควบคุมไฟฟ้าแรงสูงกำลังสูง
สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างกำลังพลิกโฉมอุตสาหกรรมการขนส่ง อุตสาหกรรมการขนส่งทั้งหมดกำลังอยู่ระหว่างการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ด้วยโซลูชั่นสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและรถยนต์ไฮบริด และการขนส่งมวลชนที่สะอาดขึ้น
สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างในการใช้งานด้านการบินและอวกาศและดาวเทียม สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างมีข้อดีหลายประการในการแปลงพลังงาน เช่น ความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานที่เพิ่มขึ้น และลดขนาดและน้ำหนักของระบบ

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.
ข้อกำหนดและเงื่อนไข ประกาศความเป็นส่วน การตั้งค่าคุกกี้
ลิขสิทธิ์ © 1995-2026, DigiKey. สงวนลิขสิทธิ์
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member