BS870-7 Diodes Incorporated | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

BS870-7
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BS870DITR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BS870-7
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 250mA (Ta) 300mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BS870-7 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	50 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	300mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-23-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BS870