FCH76N60N Fairchild Semiconductor | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

FCH76N60N
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2156-FCH76N60N-ND
ผู้ผลิต	Fairchild Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FCH76N60N
คำอธิบาย	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) ทรูโฮล TO-247
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Fairchild Semiconductor
ชุด	SupreMOS™
บรรจุภัณฑ์	จำนวนมาก
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	76A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	36mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	285 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	12385 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	543W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3