


G2R1000MT33J | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | 1242-G2R1000MT33J-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | G2R1000MT33J |
คำอธิบาย | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 20 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7 |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
โมเดล EDA/CAD | G2R1000MT33J รุ่น |
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | ท่อ | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ทำงาน | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 3300 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 20V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 2mA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 21 nC @ 20 V | |
Vgs (สูงสุด) | +20V, -5V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 238 pF @ 1000 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | 74W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | TO-263-7 | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | ||
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 1 | ฿607.43000 | ฿607.43 |
| 10 | ฿549.25000 | ฿5,492.50 |
| 25 | ฿527.47520 | ฿13,186.88 |
| 100 | ฿496.27830 | ฿49,627.83 |
| 250 | ฿476.77632 | ฿119,194.08 |
| 500 | ฿462.47630 | ฿231,238.15 |










