AIHD10N60RFATMA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

AIHD10N60RFATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	AIHD10N60RFATMA1-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	AIHD10N60RFATMA1
คำอธิบาย	IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	igbt ตัวหยุดสนามแบบถาด 600 V 20 A 150 W ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3-313
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT IGBT เดี่ยว
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท IGBT	ตัวหยุดสนามแบบถาด
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	600 V
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	20 A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์พัลส์ (Icm)	30 A
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 10A
พลังงาน - สูงสุด	150 W
พลังงานสวิตช์ชิ่ง	190µJ (เปิด), 160µJ (ปิด)
ประเภทอินพุต	มาตรฐาน
เกทชาร์จ	64 nC
Td (เปิด/ปิด) @ 25°C	12ns/168ns
สภาพการทดสอบ	400V, 10A, 26Ohm, 15V
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO252-3-313
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	AIHD10