ใหม่จาก DigiKey
PG-HSOF-8-2
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IMT65R050M2HXUMA1

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
448-IMT65R050M2HXUMA1TR-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IMT65R050M2HXUMA1
คำอธิบาย
SILICON CARBIDE MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 650 V 48.1A (Tc) 237W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-2
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
15V, 20V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
46mOhm @ 18.2A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
5.6V @ 3.7mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)
+23V, -7V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
790 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
237W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
PG-HSOF-8-2
บรรจุภัณฑ์ / เคส
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

พร้อมสำหรับการสั่งซื้อ
ตรวจสอบเวลาส่งสินค้า
สินค้านี้ไม่มีอยู่ในสต็อกที่ DigiKey ระยะเวลาการจัดส่งที่แสดงจะใช้กับการจัดส่งจากผู้ผลิตไปยัง DigiKey เมื่อได้รับสินค้า DigiKey จะจัดส่งเพื่อตอบสนองคำสั่งซื้อที่เปิดอยู่
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
2,000฿92.73469฿185,469.38
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน