IRF9383MTRPBF หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

IRFH9310TRPBF

Infineon Technologies

มีอยู่ในสต็อค: 3,487

ราคาต่อหน่วย : ฿62.73000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF9383MTRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IRF9383MTRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IRF9383MTRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IRF9383MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF9383MTRPBF
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) ติดบนพื้นผิว DIRECTFET™ MX
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRF9383MTRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	การซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	22A (Ta), 160A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.4V @ 150µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	7305 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.1W (Ta), 113W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DIRECTFET™ MX
บรรจุภัณฑ์ / เคส	DirectFET™ ไอโซเมตริก MX
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF9383