IRFS3806PBF Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IRFS3806PBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRFS3806PBF-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFS3806PBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	43A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 50µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1150 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	71W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	D2PAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRFS3806