IXFX88N20Q IXYS | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IXFX88N20Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IXFX88N20Q-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXFX88N20Q
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 200 V 88A (Tc) 500W (Tc) ทรูโฮล PLUS247™-3

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	IXYS
ชุด	HiPerFET™, Q Class
บรรจุภัณฑ์	กล่อง
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	88A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	30mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 4mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	146 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4150 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	500W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PLUS247™-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3 รูปแบบ
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IXFX88