LSIC1MO120T0160-TU IXYS | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

LSIC1MO120T0160-TU
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-LSIC1MO120T0160-TU-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	LSIC1MO120T0160-TU
คำอธิบาย	1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 22A (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	IXYS
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	22A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	-
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Vgs (สูงสุด)	-
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263-7
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	LSIC1MO120