PDTC114ET/DG/B4,21 Nexperia USA Inc. | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

PDTC114ET/DG/B4,21
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	PDTC114ET/DG/B4,21-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	PDTC114ET/DG/B4,21
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW ติดบนพื้นผิว TO-236AB
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN - พรีไบแอส
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100 mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50 V
รวมตัวต้านทานแล้ว	R1 และ R2
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	10 kOhms
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	10 kOhms
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	1µA
ความถี่ - การเปลี่ยน	230 MHz
พลังงาน - สูงสุด	250 mW
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-236AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	PDTC114