NX3008NBKMB315 NXP USA Inc. | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NX3008NBKMB315
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2156-NX3008NBKMB315-ND
ผู้ผลิต	NXP USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NX3008NBKMB315
คำอธิบาย	NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 530mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) ติดบนพื้นผิว DFN1006B-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	NXP USA Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	จำนวนมาก
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	530mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	1.8V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.1V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	0.68 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±8V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	50 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DFN1006B-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-101, SOT-883